物聯網將實體世界資訊數位化，使用可快速讀寫、低耗電、斷電不會遺失資料的MRAM（磁阻式隨機存取記憶體），發展已有10多年，工研院針對缺點，研發更快、更穩、不失憶的新世代記憶體SOT MRAM（自旋霍爾式MRAM），

為台灣廠商進入新世代記憶體鋪下康莊大道。

工研院電光所組長許世玄指出，MRAM的讀寫速度是毫微秒等級，比大家所熟知的Flash（快閃記憶體），速度快了1千倍，目前已成記億體界的共主，但有個重大缺點有待克服。

許世玄形容MRAM的結構像三明治，兩層磁性材料中間，夾上一層厚度只有0.3-0.7奈米的超薄絕緣層，在元件進行讀寫過程中，電流都會從絕緣層通過，因此每一次讀寫都會造成絕緣層的小破壞，久而久之影響MRAM的壽命。

工研院2002年即進行MRAM相關研發，為解決上述問題，在經濟部技術處科技專案支持下，2014年起投入下一世代SOT MRAM（自旋霍爾式MRAM）的研發。

研發團隊大膽將原本採垂直式的MRAM技術，改換成水平式，在SO TMRAM研發過程中，面臨不少挑戰，像元件中有金屬薄層，製程很難控制，蝕刻位置一旦有錯，整個晶片就報銷了。

研發團隊因此在元件架構設計上花費心思，困難蝕刻點避免擺放元件，即使蝕刻過程出現誤差，也不會影響良率，順利開發的SOT MRAM在寫入資料時，電流不會經過絕緣層，少了主要耗損因素，可靠度因此大幅提高。

工研院經過4年努力，取得SOT MRAM結構設計的專利，並建立出SOT MRAM元件製程平台、設計平台，並以8吋標準晶圓製程做出雛形技術，讓廠商可在不需更換製程設備下，就能量產SOT MRAM，大大降低產業進入門檻，更為未來台廠進入新世代記憶體鋪下康莊大道。

(中時 )